SIS590DN-T1-GE3
COMBO N- & P-CHANNEL 100 V (D-S)
قسمت # NOVA:
303-2248129-SIS590DN-T1-GE3
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
SIS590DN-T1-GE3
بسته استاندارد:
3,000
برگه اطلاعات فنی:
Mosfet Array N and P-Channel 100V 2.7A (Ta), 4A (Tc), 2.3A (Ta), 4A (Tc) 2.5W (Ta), 17.9W (Tc), 2.6W (Ta), 23.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
| دسته بندی | ترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها | |
| سازنده | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
| بسته / مورد | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
| سلسله | TrenchFET® | |
| جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C | 2.7A (Ta), 4A (Tc), 2.3A (Ta), 4A (Tc) | |
| Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs | 167mOhm @ 1.5A, 10V, 251mOhm @ 2.3A, 10V | |
| Vgs(th) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 250µA | |
| شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs | - | |
| ویژگی FET | Standard | |
| نوع FET | N and P-Channel | |
| تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss) | 100V | |
| ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds | - | |
| قدرت - حداکثر | 2.5W (Ta), 17.9W (Tc), 2.6W (Ta), 23.1W (Tc) | |
| نامهای دیگر | 742-SIS590DN-T1-GE3TR 742-SIS590DN-T1-GE3DKR 742-SIS590DN-T1-GE3CT |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
- SI4590DY-T1-GE3Vishay Siliconix
- SQJ570EP-T1_GE3Vishay Siliconix

