FDS6900S

.mst-lazy {display:none;}

N-CHANNEL POWER MOSFET

قسمت # NOVA:

303-2242031-FDS6900S

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

FDS6900S

بسته استاندارد:

2,500

برگه اطلاعات فنی:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A (Ta), 8.2A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC

More Information
دسته بندی	ترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها
سازنده	Fairchild Semiconductor
RoHS	1
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	8-SOIC
بسته / مورد	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
سلسله	PowerTrench®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	6.9A (Ta), 8.2A (Ta)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	30mOhm @ 6.9A, 10V, 22mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	3V @ 250µA, 3V @ 1mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	11nC @ 5V, 17nC @ 5V
ویژگی FET	Logic Level Gate
نوع FET	2 N-Channel (Dual)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	771pF @ 15V, 1238pF @ 15V
قدرت - حداکثر	900mW (Ta)
نامهای دیگر	FAIFSCFDS6900S 2156-FDS6900S

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!