SI7956DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

قسمت # NOVA:

303-2247499-SI7956DP-T1-GE3

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

SI7956DP-T1-GE3

بسته استاندارد:

3,000

برگه اطلاعات فنی:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 2.6A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

More Information
دسته بندی	ترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها
سازنده	Vishay Siliconix
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PowerPAK® SO-8 Dual
شماره محصول پایه	SI7956
بسته / مورد	PowerPAK® SO-8 Dual
سلسله	TrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	2.6A
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	105mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	4V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	26nC @ 10V
ویژگی FET	Logic Level Gate
نوع FET	2 N-Channel (Dual)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	150V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	-
قدرت - حداکثر	1.4W
نامهای دیگر	SI7956DP-T1-GE3TR SI7956DP-T1-GE3DKR SI7956DP-T1-GE3CT SI7956DPT1GE3

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!