CSD85312Q3E

MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

قسمت # NOVA:

303-2247533-CSD85312Q3E

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

CSD85312Q3E

بسته استاندارد:

2,500

برگه اطلاعات فنی:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 20V 39A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)

More Information
دسته بندی	ترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها
سازنده	Texas Instruments
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	8-VSON (3.3x3.3)
شماره محصول پایه	CSD85312
بسته / مورد	8-PowerVDFN
سلسله	NexFET™
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	39A
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	12.4mOhm @ 10A, 8V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	1.4V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	15.2nC @ 4.5V
ویژگی FET	Logic Level Gate, 5V Drive
نوع FET	2 N-Channel (Dual) Common Source
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	2390pF @ 10V
قدرت - حداکثر	2.5W
نامهای دیگر	-CSD85312Q3E-NDR TEXTISCSD85312Q3E 296-37187-6 2156-CSD85312Q3E 296-37187-1 296-37187-2 -296-37187-1 -296-37187-1-ND CSD85312Q3E-ND

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!