SQ4917EY-T1

SQ4917EY-T1_GE3

MOSFET 2 P-CHANNEL 60V 8A 8SO

قسمت # NOVA:

303-2249651-SQ4917EY-T1_GE3

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

SQ4917EY-T1_GE3

بسته استاندارد:

2,500

برگه اطلاعات فنی:

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

More Information
دسته بندی	ترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها
سازنده	Vishay Siliconix
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 175°C (TA)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	8-SOIC
شماره محصول پایه	SQ4917
بسته / مورد	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
سلسله	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	8A (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	48mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2.5V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	65nC @ 10V
ویژگی FET	Standard
نوع FET	2 P-Channel (Dual)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	60V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1910pF @ 30V
قدرت - حداکثر	5W (Tc)
نامهای دیگر	SQ4917EY-T1_GE3TR SQ4917EY-T1_GE3CT

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!