SIA938DJT-T1-GE3

DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

قسمت # NOVA:

303-2066298-SIA938DJT-T1-GE3

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

SIA938DJT-T1-GE3

بسته استاندارد:

3,000

برگه اطلاعات فنی:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.5A (Ta), 4.5A (Tc) 1.9W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual

More Information
دسته بندی	ترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها
سازنده	Vishay Siliconix
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PowerPAK® SC-70-6 Dual
شماره محصول پایه	SIA938
بسته / مورد	PowerPAK® SC-70-6 Dual
سلسله	TrenchFET® Gen IV
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	21.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	1.5V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	11.5nC @ 10V
ویژگی FET	Standard
نوع FET	2 N-Channel (Dual)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	425pF @ 10V
قدرت - حداکثر	1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
نامهای دیگر	742-SIA938DJT-T1-GE3DKR 742-SIA938DJT-T1-GE3TR 742-SIA938DJT-T1-GE3CT

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!