BSZ0910NDXTMA1

DIFFERENTIATED MOSFETS

قسمت # NOVA:

303-2248900-BSZ0910NDXTMA1

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

BSZ0910NDXTMA1

بسته استاندارد:

5,000

برگه اطلاعات فنی:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9.5A (Ta), 25A (Tc) 1.9W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PG-WISON-8

More Information
دسته بندی	ترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها
سازنده	Infineon Technologies
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PG-WISON-8
شماره محصول پایه	BSZ0910
بسته / مورد	8-PowerVDFN
سلسله	OptiMOS™
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	9.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	9.5mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	5.6nC @ 4.5V
ویژگی FET	Logic Level Gate, 4.5V Drive
نوع FET	2 N-Channel (Dual)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	800pF @ 15V
قدرت - حداکثر	1.9W (Ta), 31W (Tc)
نامهای دیگر	BSZ0910NDXTMA1-ND BSZ0910NDXTMA1CT BSZ0910NDXTMA1TR BSZ0910NDXTMA1DKR SP001699886

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!