BSM600D12P3G001

.mst-lazy {display:none;}

1200V, 576A, HALF BRIDGE, FULL S

قسمت # NOVA:

303-2250944-BSM600D12P3G001

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

BSM600D12P3G001

بسته استاندارد:

برگه اطلاعات فنی:

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 600A (Tc) 2450W (Tc) Chassis Mount Module

More Information
دسته بندی	ترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها
سازنده	Rohm Semiconductor
RoHS	1
دمای عملیاتی	-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Chassis Mount
بسته دستگاه تامین کننده	Module
شماره محصول پایه	BSM600
بسته / مورد	Module
سلسله	-
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	600A (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	-
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	5.6V @ 182mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	-
ویژگی FET	Silicon Carbide (SiC)
نوع FET	2 N-Channel (Half Bridge)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	1200V (1.2kV)
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	31000pF @ 10V
قدرت - حداکثر	2450W (Tc)
نامهای دیگر	846-BSM600D12P3G001

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!