EPC2103

GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG

قسمت # NOVA:

303-2243639-EPC2103

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

EPC2103

بسته استاندارد:

500

برگه اطلاعات فنی:

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 28A - Surface Mount Die

More Information
دسته بندی	ترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها
سازنده	EPC
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	Die
بسته / مورد	Die
سلسله	eGaN®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	28A
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	5.5mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2.5V @ 7mA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	6.5nC @ 5V
ویژگی FET	GaNFET (Gallium Nitride)
نوع FET	2 N-Channel (Half Bridge)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	80V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	760pF @ 40V
قدرت - حداکثر	-
نامهای دیگر	917-1183-6 917-1183-2 917-1183-1

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!