SI7252ADP-T1-GE3

DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFE

قسمت # NOVA:

303-2247932-SI7252ADP-T1-GE3

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

SI7252ADP-T1-GE3

بسته استاندارد:

6,000

برگه اطلاعات فنی:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 9.3A (Ta), 28.7A (Tc) 3.6W (Ta), 33.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

More Information
دسته بندی	ترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها
سازنده	Vishay Siliconix
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PowerPAK® SO-8 Dual
بسته / مورد	PowerPAK® SO-8 Dual
سلسله	TrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	9.3A (Ta), 28.7A (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	18.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	4V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	26.5nC @ 10V
ویژگی FET	Standard
نوع FET	2 N-Channel (Dual)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	100V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1266pF @ 50V
قدرت - حداکثر	3.6W (Ta), 33.8W (Tc)
نامهای دیگر	742-SI7252ADP-T1-GE3TR 742-SI7252ADP-T1-GE3CT 742-SI7252ADP-T1-GE3DKR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!