SI4946CDY-T1-GE3

MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8

قسمت # NOVA:

303-2251460-SI4946CDY-T1-GE3

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

SI4946CDY-T1-GE3

بسته استاندارد:

2,500

برگه اطلاعات فنی:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.2A (Ta), 6.1A (Tc) 2W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount 8-SO

More Information
دسته بندی	ترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها
سازنده	Vishay Siliconix
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	8-SO
شماره محصول پایه	SI4946
بسته / مورد	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
سلسله	TrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	5.2A (Ta), 6.1A (Tc)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	40.9mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	3V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	10nC @ 10V
ویژگی FET	Standard
نوع FET	2 N-Channel (Dual)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	60V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	350pF @ 30V
قدرت - حداکثر	2W (Ta), 2.8W (Tc)
نامهای دیگر	SI4946CDY-T1-GE3DKR SI4946CDY-T1-GE3CT SI4946CDY-T1-GE3TR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!