SIZ918DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

قسمت # NOVA:

303-2247539-SIZ918DT-T1-GE3

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

SIZ918DT-T1-GE3

بسته استاندارد:

3,000

برگه اطلاعات فنی:

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 28A 29W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)

More Information
دسته بندی	ترانزیستورها - FET ها، MOSFET ها - آرایه ها
سازنده	Vishay Siliconix
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	8-PowerPair® (6x5)
شماره محصول پایه	SIZ918
بسته / مورد	8-PowerWDFN
سلسله	TrenchFET®
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	16A, 28A
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	12mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	2.2V @ 250µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	21nC @ 10V
ویژگی FET	Logic Level Gate
نوع FET	2 N-Channel (Half Bridge)
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	790pF @ 15V
قدرت - حداکثر	29W, 100W
نامهای دیگر	SIZ918DT-T1-GE3CT SIZ918DT-T1-GE3TR SIZ918DT-T1-GE3DKR SIZ918DTT1GE3

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!