MJD112T4G
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
قسمت # NOVA:
301-2032823-MJD112T4G
سازنده:
شماره قطعه سازنده:
MJD112T4G
بسته استاندارد:
2,500
برگه اطلاعات فنی:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 20 W Surface Mount DPAK
| دسته بندی | ترانزیستور - دوقطبی (BJT) - تک | |
| سازنده | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| نوع نصب | Surface Mount | |
| بسته دستگاه تامین کننده | DPAK | |
| شماره محصول پایه | MJD112 | |
| سلسله | - | |
| بسته / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| افزایش جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce | 1000 @ 2A, 3V | |
| اشباع Vce (حداکثر) @ Ib، Ic | 3V @ 40mA, 4A | |
| فرکانس - انتقال | 25MHz | |
| فعلی - برش جمع کننده (حداکثر) | 20µA | |
| ولتاژ - خرابی امیتر کلکتور (حداکثر) | 100 V | |
| فعلی - گردآورنده (IC) (حداکثر) | 2 A | |
| نوع ترانزیستور | NPN - Darlington | |
| قدرت - حداکثر | 20 W | |
| نامهای دیگر | 2156-MJD112T4G-OS MJD112T4GOSTR MJD112T4GOS-ND MJD112T4GOS MJD112T4GOSCT ONSONSMJD112T4G MJD112T4GOSDKR |
In stock لطفا با ما تماس بگیرید
قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.
ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!
MJD117T4Gonsemi
MJD112T4STMicroelectronics- MJD117Gonsemi
- MJD122T4Gonsemi
- MJD6039T4Gonsemi
TBD62084AFG,ELToshiba Semiconductor and Storage
