2SAR586D3TL1

POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA

قسمت # NOVA:

301-2035912-2SAR586D3TL1

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

2SAR586D3TL1

بسته استاندارد:

2,500

برگه اطلاعات فنی:

Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 5 A 200MHz 10 W Surface Mount TO-252

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - دوقطبی (BJT) - تک
سازنده	Rohm Semiconductor
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	TO-252
شماره محصول پایه	2SAR586
سلسله	-
بسته / مورد	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
افزایش جریان DC (hFE) (حداقل) @ Ic، Vce	120 @ 500mA, 3V
اشباع Vce (حداکثر) @ Ib، Ic	320mV @ 100mA, 2A
فرکانس - انتقال	200MHz
فعلی - برش جمع کننده (حداکثر)	1µA (ICBO)
ولتاژ - خرابی امیتر کلکتور (حداکثر)	80 V
فعلی - گردآورنده (IC) (حداکثر)	5 A
نوع ترانزیستور	PNP
قدرت - حداکثر	10 W
نامهای دیگر	2SAR586D3TL1DKR 2SAR586D3TL1TR 2SAR586D3TL1CT

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!