GD10MPS12E

1200V 10A TO-252-2 SIC SCHOTTKY

قسمت # NOVA:

287-2370879-GD10MPS12E

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

GD10MPS12E

بسته استاندارد:

2,500

برگه اطلاعات فنی:

Diode Silicon Carbide Schottky 1200 V 29A (DC) Surface Mount TO-252-2

More Information
دسته بندی	دیود - یکسو کننده - تک
سازنده	GeneSiC Semiconductor
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
سرعت	No Recovery Time > 500mA (Io)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	TO-252-2
سلسله	SiC Schottky MPS™
فعلی - میانگین اصلاح شده (Io)	29A (DC)
بسته / مورد	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
دمای عملیاتی - اتصال	-55°C ~ 175°C
ظرفیت @ Vr، F	367pF @ 1V, 1MHz
جریان - نشت معکوس @ Vr	5 µA @ 1200 V
ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر	1.8 V @ 10 A
نوع دیود	Silicon Carbide Schottky
ولتاژ - معکوس DC (Vr) (حداکثر)	1200 V
زمان بازیابی معکوس (trr)	0 ns
نامهای دیگر	1242-GD10MPS12ETR 1242-GD10MPS12ECT 1242-GD10MPS12EDKR

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!