BSZ018N04LS6ATMA1

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PG-TSDSON-8-FL
Basisproduktnummer	BSZ018
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™ 6
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	27A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	31 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	8-PowerTDFN
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	2700 pF @ 20 V
Verlustleistung (max.)	2.5W (Ta), 83W (Tc)
Andere Namen	SP002116668 448-BSZ018N04LS6ATMA1DKR 448-BSZ018N04LS6ATMA1CT 448-BSZ018N04LS6ATMA1TR

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