SQS462EN-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 8A PPAK1212-8
NOVA-Teilenummer:
312-2285553-SQS462EN-T1_GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SQS462EN-T1_GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 60 V 8A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerPAK® 1212-8 | |
| Basisproduktnummer | SQS462 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 8A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63mOhm @ 4.3A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | PowerPAK® 1212-8 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 470 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 33W (Tc) | |
| Andere Namen | SQS462EN-T1_GE3DKR SQS462EN-T1-GE3 SQS462EN-T1-GE3-ND SQS462EN-T1_GE3CT SQS462EN-T1_GE3-ND SQS462EN-T1_GE3TR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
24LC64T-I/OTMicrochip Technology
TPS70933QDBVRQ1Texas Instruments
SQ2361AEES-T1_GE3Vishay Siliconix
NRVTSA4100ET3Gonsemi
MAX13047EEVB+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated- OPA333AQDBVRQ1Texas Instruments
