SI4100DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
NOVA-Teilenummer:
312-2287828-SI4100DY-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI4100DY-T1-GE3
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 100 V 6.8A (Tc) 2.5W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-SOIC | |
| Basisproduktnummer | SI4100 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 6.8A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63mOhm @ 4.4A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 600 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 6W (Tc) | |
| Andere Namen | SI4100DYT1GE3 SI4100DY-T1-GE3DKR SI4100DY-T1-GE3-ND SI4100DY-T1-GE3CT SI4100DY-T1-GE3TR |
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