CSD16325Q5

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Texas Instruments
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	8-VSON-CLIP (5x6)
Basisproduktnummer	CSD16325
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	NexFET™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	33A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	3V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2mOhm @ 30A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	25 nC @ 4.5 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	8-PowerTDFN
Vgs (Max)	+10V, -8V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	4000 pF @ 12.5 V
Verlustleistung (max.)	3.1W (Ta)
Andere Namen	-CSD16325Q5-NDR 296-24964-1 296-24964-2 296-24964-6 -296-24964-1-ND

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