RDR005N25TL

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Rohm Semiconductor
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	TSMT3
Basisproduktnummer	RDR005
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	-
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	500mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.8Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	3.5 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	SC-96
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	250 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	70 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)	540mW (Ta)
Andere Namen	RDR005N25TLCT RDR005N25TLTR RDR005N25TLDKR

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