IPDD60R190G7XTMA1

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PG-HDSOP-10-1
Basisproduktnummer	IPDD60
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	CoolMOS™ G7
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	13A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 210µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	10-PowerSOP Module
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	718 pF @ 400 V
Verlustleistung (max.)	76W (Tc)
Andere Namen	IPDD60R190G7XTMA1DKR SP001632844 IPDD60R190G7XTMA1TR IPDD60R190G7XTMA1CT

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