RQ6E050ATTCR
MOSFET P-CH 30V 5A TSMT6
NOVA-Teilenummer:
312-2285028-RQ6E050ATTCR
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
RQ6E050ATTCR
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 30 V 5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TSMT6 (SC-95) | |
| Basisproduktnummer | RQ6E050 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 5A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20.8 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 940 pF @ 15 V | |
| Verlustleistung (max.) | 1.25W (Ta) | |
| Andere Namen | RQ6E050ATTCRTR RQ6E050ATTCRDKR RQ6E050ATTCRCT |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
RQ6E060ATTCRRohm Semiconductor
IRFTS9342TRPBFInfineon Technologies
NCP718ASN300T1Gonsemi
RQ5E050ATTCLRohm Semiconductor
LM311PTexas Instruments
SN74LV1T125DCKRTexas Instruments
SI3417DV-T1-GE3Vishay Siliconix- SI3469DV-T1-E3Vishay Siliconix
AP2191AW-7Diodes Incorporated
2SD2351T106VRohm Semiconductor- SI3483DDV-T1-GE3Vishay Siliconix
FDC658Ponsemi- RQ6E050AJTCRRohm Semiconductor
MCH6341-TL-Wonsemi
