SI7308DN-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
NOVA-Teilenummer:
312-2291145-SI7308DN-T1-E3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI7308DN-T1-E3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 60 V 6A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerPAK® 1212-8 | |
| Basisproduktnummer | SI7308 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 6A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 5.4A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | PowerPAK® 1212-8 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 665 pF @ 15 V | |
| Verlustleistung (max.) | 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) | |
| Andere Namen | SI7308DN-T1-E3CT SI7308DN-T1-E3DKR SI7308DN-T1-E3TR SI7308DNT1E3 |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- SI3460DDV-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI1424EDH-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI7415DN-T1-GE3Vishay Siliconix

