SQM10250E

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	TO-263 (D²Pak)
Basisproduktnummer	SQM10250
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	65A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	75 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	250 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	4050 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)	375W (Tc)
Andere Namen	SQM10250E_GE3TR SQM10250E_GE3CT SQM10250E_GE3DKR

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