NP100P04PDG-E1-AY
MOSFET P-CH 40V 100A TO263
NOVA-Teilenummer:
312-2289072-NP100P04PDG-E1-AY
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
NP100P04PDG-E1-AY
Standardpaket:
800
Technisches Datenblatt:
P-Channel 40 V 100A (Tc) 1.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount TO-263
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-263 | |
| Basisproduktnummer | NP100P04 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 100A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 320 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 15100 pF @ 10 V | |
| Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta), 200W (Tc) | |
| Andere Namen | 559-NP100P04PDG-E1-AYDKR -1161-NP100P04PDG-E1-AYCT 559-NP100P04PDG-E1-AYCT NP100P04PDG-E1-AY-ND 559-NP100P04PDG-E1-AYTR |
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