IMZ120R045M1XKSA1
SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
NOVA-Teilenummer:
312-2283675-IMZ120R045M1XKSA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IMZ120R045M1XKSA1
Standardpaket:
30
Technisches Datenblatt:
N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO247-4-1 | |
| Basisproduktnummer | IMZ120 | |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Serie | CoolSiC™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 52A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 15V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 20A, 15V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.7V @ 10mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 52 nC @ 15 V | |
| FET-Funktion | Current Sensing | |
| Paket/Koffer | TO-247-4 | |
| Vgs (Max) | +20V, -10V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1900 pF @ 800 V | |
| Verlustleistung (max.) | 228W (Tc) | |
| Andere Namen | SP001346258 448-IMZ120R045M1XKSA1 |
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