IXFN170N65X2
MOSFET N-CH 650V 170A SOT227B
NOVA-Teilenummer:
312-2289973-IXFN170N65X2
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IXFN170N65X2
Standardpaket:
10
Technisches Datenblatt:
N-Channel 650 V 170A (Tc) 1170W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Chassis Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | SOT-227B | |
| Basisproduktnummer | IXFN170 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HiPerFET™, Ultra X2 | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 170A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 85A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 434 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | SOT-227-4, miniBLOC | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 27000 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 1170W (Tc) |
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