SUD35N10-26P-BE3
MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK
NOVA-Teilenummer:
312-2296985-SUD35N10-26P-BE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SUD35N10-26P-BE3
Standardpaket:
2,000
N-Channel 100 V 12A (Ta), 35A (Tc) 8.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-252AA | |
| Basisproduktnummer | SUD35 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 12A (Ta), 35A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 7V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 12A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 2000 pF @ 12 V | |
| Verlustleistung (max.) | 8.3W (Ta), 83W (Tc) | |
| Andere Namen | 742-SUD35N10-26P-BE3TR 742-SUD35N10-26P-BE3DKR 742-SUD35N10-26P-BE3CT |
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