NTMFS6H864NLT1G
MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN
NOVA-Teilenummer:
312-2299302-NTMFS6H864NLT1G
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
NTMFS6H864NLT1G
Standardpaket:
1,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 80 V 7A (Ta), 22A (Tc) 3.5W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
| Basisproduktnummer | NTMFS6 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 7A (Ta), 22A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerTDFN, 5 Leads | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 431 pF @ 40 V | |
| Verlustleistung (max.) | 3.5W (Ta), 33W (Tc) | |
| Andere Namen | 488-NTMFS6H864NLT1GTR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- BAT54A,235Nexperia USA Inc.
- SSB44HE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes Division
- DS04-254-2-04BK-SMTCUI Devices
- SQ3419EV-T1_GE3Vishay Siliconix
- A768KE336M1HLAE042KEMET
- BSZ0703LSATMA1Infineon Technologies
- FDS6679AZonsemi
- NVMFS6H864NLT1Gonsemi
- TPS22962DNYRTexas Instruments
- MBRA130LT3Gonsemi
- NTMFS5C456NLT1Gonsemi
- ABM8AIG-12.000MHZ-12-2Z-T3Abracon LLC
- ECS-271.2-10-33B-CKM-TRECS Inc.
- TPS92390RHBRTexas Instruments













