SUD19P06-60L-E3
MOSFET P-CH 60V 19A TO252
NOVA-Teilenummer:
312-2280893-SUD19P06-60L-E3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SUD19P06-60L-E3
Standardpaket:
2,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 60 V 19A (Tc) 2.7W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-252AA | |
| Basisproduktnummer | SUD19 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 19A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1710 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 2.7W (Ta), 46W (Tc) | |
| Andere Namen | SUD19P06-60L-E3TR SUD19P06-60L-E3CT SUD19P06-60L-E3-ND SUD19P0660LE3 SUD19P06-60L-E3DKR |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
SQD19P06-60L_GE3Vishay Siliconix
IRFTS9342TRPBFInfineon Technologies
MMSZ5245C-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division
FDS6680ASonsemi- SUD19P06-60-GE3Vishay Siliconix
SIS412DN-T1-GE3Vishay Siliconix- SQD50P06-15L_GE3Vishay Siliconix
BQ24735RGRTTexas Instruments- SUD19P06-60-BE3Vishay Siliconix
- SUD19P06-60-E3Vishay Siliconix
