RD3H080SPFRATL

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Rohm Semiconductor
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	TO-252
Basisproduktnummer	RD3H080
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	Automotive, AEC-Q101
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	8A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	91mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	9 nC @ 5 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	45 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	1000 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.)	15W (Tc)
Andere Namen	RD3H080SPFRATLCT RD3H080SPFRATLDKR RD3H080SPFRATLTR

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