TSM2N100CH C5G
MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251
NOVA-Teilenummer:
312-2273662-TSM2N100CH C5G
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
TSM2N100CH C5G
Standardpaket:
3,750
Technisches Datenblatt:
N-Channel 1000 V 1.85A (Tc) 77W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-251 (IPAK) | |
| Basisproduktnummer | TSM2N100 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | - | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 1.85A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5Ohm @ 900mA, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 625 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 77W (Tc) | |
| Andere Namen | TSM2N100CH C5G-ND TSM2N100CHC5G |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
IXTH5N100AIXYS
STU2NK100ZSTMicroelectronics
APT8M100BMicrochip Technology
