SI3473DDV-T1-GE3

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Vishay Siliconix
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	6-TSOP
Basisproduktnummer	SI3473
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	TrenchFET® Gen III
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	8A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.8mOhm @ 8.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	57 nC @ 8 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (Max)	±8V
FET-Typ	P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	1975 pF @ 6 V
Verlustleistung (max.)	3.6W (Tc)
Andere Namen	SI3473DDV-T1-GE3CT SI3473DDV-T1-GE3TR SI3473DDV-T1-GE3DKR

In stock Bitte kontaktieren Sie uns

Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!