IRF9Z34NSTRRPBF
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
NOVA-Teilenummer:
312-2294406-IRF9Z34NSTRRPBF
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IRF9Z34NSTRRPBF
Standardpaket:
800
Technisches Datenblatt:
P-Channel 55 V 19A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | D2PAK | |
| Basisproduktnummer | IRF9Z34 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HEXFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 19A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 620 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 3.8W (Ta), 68W (Tc) | |
| Andere Namen | 448-IRF9Z34NSTRRPBFCT SP001551716 448-IRF9Z34NSTRRPBFTR 448-IRF9Z34NSTRRPBFDKR IRF9Z34NSTRRPBF-ND |
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