NVMFS5C645NLAFT1G
MOSFET N-CH 60V 22A/100A 5DFN
NOVA-Teilenummer:
312-2295856-NVMFS5C645NLAFT1G
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
NVMFS5C645NLAFT1G
Standardpaket:
1,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 60 V 22A (Ta), 100A (Tc) 3.7W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | |
| Basisproduktnummer | NVMFS5 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 22A (Ta), 100A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerTDFN, 5 Leads | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 2200 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 3.7W (Ta), 79W (Tc) | |
| Andere Namen | NVMFS5C645NLAFT1G-ND 488-NVMFS5C645NLAFT1GDKR 488-NVMFS5C645NLAFT1GCT 488-NVMFS5C645NLAFT1GTR |
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