SISS63DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK
NOVA-Teilenummer:
312-2361549-SISS63DN-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SISS63DN-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
P-Channel 20 V 35.1A (Ta), 127.5A (Tc) 5W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PowerPAK® 1212-8S | |
| Basisproduktnummer | SISS63 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® Gen III | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 35.1A (Ta), 127.5A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 2.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 236 nC @ 8 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | PowerPAK® 1212-8S | |
| Vgs (Max) | ±12V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 7080 pF @ 10 V | |
| Verlustleistung (max.) | 5W (Ta), 65.8W (Tc) | |
| Andere Namen | 742-SISS63DN-T1-GE3CT 742-SISS63DN-T1-GE3DKR 742-SISS63DN-T1-GE3TR |
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