IPD70N10S312ATMA1

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Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PG-TO252-3-11
Basisproduktnummer	IPD70N10
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	70A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.1mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 83µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	65 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	4355 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)	125W (Tc)
Andere Namen	IPD70N10S312ATMA1DKR IPD70N10S3-12-ND IPD70N10S3-12CT IPD70N10S3-12DKR-ND IPD70N10S312 IPD70N10S3-12TR-ND IPD70N10S3-12 IPD70N10S3-12CT-ND IPD70N10S312ATMA1TR SP000427248 IPD70N10S3-12DKR IPD70N10S3-12TR IPD70N10S312ATMA1CT

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