IPB027N10N5ATMA1

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PG-TO263-3
Basisproduktnummer	IPB027
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	OptiMOS™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	120A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 184µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	139 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	10300 pF @ 50 V
Verlustleistung (max.)	250W (Tc)
Andere Namen	IPB027N10N5ATMA1CT SP001227034 INFINFIPB027N10N5ATMA1 2156-IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1TR IPB027N10N5ATMA1DKR

In stock Bitte kontaktieren Sie uns

Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!