IXTN32P60P

MOSFET P-CH 600V 32A SOT227B
NOVA-Teilenummer:
312-2297901-IXTN32P60P
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IXTN32P60P
Standardpaket:
10
Technisches Datenblatt:

P-Channel 600 V 32A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerIXYS
RoHS 1
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartChassis Mount
Gerätepaket des Lieferanten SOT-227B
Basisproduktnummer IXTN32
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SeriePolarP™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 32A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 196 nC @ 10 V
FET-Funktion-
Paket/KofferSOT-227-4, miniBLOC
Vgs (Max)±20V
FET-TypP-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)600 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 11100 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.) 890W (Tc)

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