IRF5210LPBF
MOSFET P-CH 100V 38A TO262
NOVA-Teilenummer:
312-2289053-IRF5210LPBF
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IRF5210LPBF
Standardpaket:
50
Technisches Datenblatt:
P-Channel 100 V 38A (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-262
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-262 | |
| Basisproduktnummer | IRF5210 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | HEXFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 38A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 38A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 230 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | P-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 2780 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 3.1W (Ta), 170W (Tc) | |
| Andere Namen | SP001564364 |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
OP4177ARUZAnalog Devices Inc.
AUIRF5210STRLInfineon Technologies
BZX84C15LT1Gonsemi- IRF5210STRLPBFInfineon Technologies
IRFSL3607PBFInternational Rectifier
OPA4340EA/250Texas Instruments
IRF5210PBFInfineon Technologies- IRF3710LPBFInternational Rectifier
IXTP52P10PIXYS
FMMT493TADiodes Incorporated
