BSS806NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
NOVA-Teilenummer:
312-2281509-BSS806NH6327XTSA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
BSS806NH6327XTSA1
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 20 V 2.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-SOT23 | |
| Basisproduktnummer | BSS806 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2.3A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 1.8V, 2.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 2.3A, 2.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 750mV @ 11µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7 nC @ 2.5 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| Vgs (Max) | ±8V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 529 pF @ 10 V | |
| Verlustleistung (max.) | 500mW (Ta) | |
| Andere Namen | BSS806N H6327 BSS806NH6327XTSA1TR BSS806N H6327DKR-ND IFEINFBSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1CT BSS806N H6327CT BSS806N H6327CT-ND BSS806NH6327XTSA1DKR BSS806N H6327-ND BSS806NH6327 2156-BSS806NH6327XTSA1 SP000928952 BSS806N H6327TR-ND BSS806N H6327DKR |
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