IPW65R041CFDFKSA1
MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
NOVA-Teilenummer:
312-2283663-IPW65R041CFDFKSA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IPW65R041CFDFKSA1
Standardpaket:
30
Technisches Datenblatt:
N-Channel 650 V 68.5A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TO247-3-1 | |
| Basisproduktnummer | IPW65R041 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | CoolMOS™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 68.5A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 33.1A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 3.3mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 300 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-247-3 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 8400 pF @ 100 V | |
| Verlustleistung (max.) | 500W (Tc) | |
| Andere Namen | IPW65R041CFD IPW65R041CFD-ND SP000756288 |
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