SI3440ADV-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP
NOVA-Teilenummer:
312-2284804-SI3440ADV-T1-GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SI3440ADV-T1-GE3
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 150 V 2.2A (Tc) 3.6W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 6-TSOP | |
| Basisproduktnummer | SI3440 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2.2A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 1.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 80 pF @ 75 V | |
| Verlustleistung (max.) | 3.6W (Tc) | |
| Andere Namen | SI3440ADV-T1-GE3TR SI3440ADV-T1-GE3DKR SI3440ADV-T1-GE3CT |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- TSM4800N15CX6 RFGTaiwan Semiconductor Corporation
- SI3440DV-T1-E3Vishay Siliconix
- FDC2512onsemi
- FDC86244onsemi
- MMSZ5246BS-7-FDiodes Incorporated
- SI3440DV-T1-GE3Vishay Siliconix



