SQM120N10-3M8_GE3
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
NOVA-Teilenummer:
312-2283284-SQM120N10-3M8_GE3
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
SQM120N10-3M8_GE3
Standardpaket:
800
Technisches Datenblatt:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-263 (D²Pak) | |
| Basisproduktnummer | SQM120 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 120A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 190 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 7230 pF @ 25 V | |
| Verlustleistung (max.) | 375W (Tc) | |
| Andere Namen | SQM120N10-3M8_GE3DKR SQM120N10-3M8_GE3-ND SQM120N10-3M8_GE3CT SQM120N10-3M8_GE3TR |
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