ISZ080N10NM6ATMA1
TRENCH >=100V PG-TSDSON-8
NOVA-Teilenummer:
312-2276120-ISZ080N10NM6ATMA1
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
ISZ080N10NM6ATMA1
Standardpaket:
5,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 100 V 13A (Ta), 75A (Tc) 3W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8 FL
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | PG-TSDSON-8 FL | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | OptiMOS™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 13A (Ta), 75A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 8V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.04mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 36µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1800 pF @ 50 V | |
| Verlustleistung (max.) | 3W (Ta), 100W (Tc) | |
| Andere Namen | 448-ISZ080N10NM6ATMA1DKR 448-ISZ080N10NM6ATMA1TR SP005409469 448-ISZ080N10NM6ATMA1CT |
In stock Bitte kontaktieren Sie uns
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!
- BSZ097N10NS5ATMA1Infineon Technologies
- ISC022N10NM6ATMA1Infineon Technologies
- ISC027N10NM6ATMA1Infineon Technologies
- ISZ230N10NM6ATMA1Infineon Technologies
- ISC030N10NM6ATMA1Infineon Technologies
- BSC0802LSATMA1Infineon Technologies
- ISZ0803NLSATMA1Infineon Technologies








