NVB082N65S3F
MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3
NOVA-Teilenummer:
312-2361499-NVB082N65S3F
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
NVB082N65S3F
Standardpaket:
800
Technisches Datenblatt:
N-Channel 650 V 40A (Tc) 313W (Tc) Surface Mount D²PAK-3 (TO-263-3)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | D²PAK-3 (TO-263-3) | |
| Basisproduktnummer | NVB082 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, SuperFET® III, FRFET® | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 40A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 81 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 3410 pF @ 400 V | |
| Verlustleistung (max.) | 313W (Tc) | |
| Andere Namen | NVB082N65S3FOSDKR NVB082N65S3FOSCT NVB082N65S3F-ND NVB082N65S3FOSTR |
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