TK170V65Z,LQ
MOSFET N-CH 650V 18A 5DFN
NOVA-Teilenummer:
312-2268507-TK170V65Z,LQ
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
TK170V65Z,LQ
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:
N-Channel 650 V 18A (Ta) 150W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | 150°C | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 4-DFN-EP (8x8) | |
| Basisproduktnummer | TK170V65 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | DTMOSVI | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 18A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 9A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 730µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 4-VSFN Exposed Pad | |
| Vgs (Max) | ±30V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1635 pF @ 300 V | |
| Verlustleistung (max.) | 150W (Tc) | |
| Andere Namen | 264-TK170V65Z,LQTR-ND 264-TK170V65Z,LQCT-ND 264-TK170V65ZLQTR 264-TK170V65Z,LQCT 264-TK170V65Z,LQTR 264-TK170V65Z,LQDKR-ND TK170V65Z,LQ(S 264-TK170V65Z,LQDKR 264-TK170V65ZLQCT 264-TK170V65ZLQDKR |
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