TPN22006NH,LQ
MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
NOVA-Teilenummer:
312-2290205-TPN22006NH,LQ
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
TPN22006NH,LQ
Standardpaket:
3,000
Technisches Datenblatt:
N-Channel 60 V 9A (Ta) 700mW (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | 8-TSON Advance (3.3x3.3) | |
| Basisproduktnummer | TPN22006 | |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Serie | U-MOSVIII-H | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 9A (Ta) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 6.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 4.5A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 710 pF @ 30 V | |
| Verlustleistung (max.) | 700mW (Ta), 18W (Tc) | |
| Andere Namen | TPN22006NHLQDKR TPN22006NHLQCT TPN22006NHLQTR TPN22006NH,LQ(S TPN22006NHLQ |
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