IXTN210P10T

MOSFET P-CH 100V 210A SOT227B
NOVA-Teilenummer:
312-2276625-IXTN210P10T
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
IXTN210P10T
Standardpaket:
10
Technisches Datenblatt:

P-Channel 100 V 210A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerIXYS
RoHS 1
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartChassis Mount
Gerätepaket des Lieferanten SOT-227B
Basisproduktnummer IXTN210
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SerieTrenchP™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 210A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 105A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 740 nC @ 10 V
FET-Funktion-
Paket/KofferSOT-227-4, miniBLOC
Vgs (Max)±15V
FET-TypP-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)100 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 69500 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.) 830W (Tc)

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