IPD80R1K4P7ATMA1

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PG-TO252-2
Basisproduktnummer	IPD80R1
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	CoolMOS™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	4A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 700µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 10 V
FET-Funktion	Super Junction
Paket/Koffer	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	250 pF @ 500 V
Verlustleistung (max.)	32W (Tc)
Andere Namen	INFINFIPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1DKR IPD80R1K4P7ATMA1TR IPD80R1K4P7ATMA1CT SP001422564 2156-IPD80R1K4P7ATMA1

In stock Bitte kontaktieren Sie uns

Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Wir haben weitere Produkte gefunden, die Ihnen gefallen könnten!